RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 49–53 (Mi phts1550)

Диффузия бора в дырочном карбиде кремния

Е. Н. Мохов, Е. Е. Гончаров, Г. Г. Рябова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Методом трековой авторадиографии, основанной на ядерной реакции $^{10}$B($n,\alpha)^{7}$Li, исследовано диффузионное распределение бора в дырочном карбиде кремния, легированном алюминием, в температурном диапазоне ${1500\div2550^{\circ}}$С. Показано, что диффузионный профиль бора описывается erfc-функцией только при низкой поверхностной концентрации диффузанта. В этом случае коэффициент диффузии возрастает пропорционально концентрации акцепторов. Предложена модель диффузии бора в дырочном карбиде кремния, согласно которой миграция примеси осуществляется путем перемещения быстро диффундирующих комплексов В$_{\text{C}}{-}V_{\text{C}}$ поток которых лимитируется концентрацией положительно заряженных углеродных вакансий $V_{\text{C}}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.04.1983
Принята в печать: 16.06.1983



© МИАН, 2024