Кинетика установления магнитоконцентрационного эффекта в несобственных полупроводниках

Теоретически и экспериментально исследуется переходной процесс при резком включении электрического поля в условиях магнитоконцентрационного эффекта в несобственных полупроводниках. Исследовался $p$- и $n$-InSb. Изучалась кинетика изменения напряжения на образце и тока через него. Получены вольтамперные характеристики образцов через, различные промежутки времени после включения поля, характеризующиеся сильным $N$-образным участком, при котором величина спада тока тем больше, чем меньше времени прошло с момента включения поля. Экспериментальные результаты согласуются с теорией.