RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 62–67 (Mi phts1552)

Свойства субмикронных слоев на чистом германии, получаемых ионно-лазерным методом

Е. М. Вербицкая, И. М. Воронова, С. С. Горелов, Ю. П. Максимов, Н. Б. Строкан

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Исследован отжиг одиночными миллисекундными импульсами ионно-легированных слоев на особо чистом германии. Для отжига использована установка с высокой однородностью светового поля лазеров и дополнительным термоподогревом. Определен диапазон плотностей энергии, в котором обеспечивается получение высоколегированных поликристаллических слоев и не происходит изменения объемных свойств исходного материала. Установлен механизм перестройки структуры имплантированных слоев. Слои могут быть использованы как неинжектирующие антизапорные контакты (быстродействующие фотодиоды, детекторы ядерных излучений).

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.07.1983
Принята в печать: 19.07.1983



© МИАН, 2024