Исследование глубоких уровней гомо- и гетеропереходов на арсениде галлия методом туннельной спектроскопии

Исследованы туннельные спектры (вторые производные вольтамперных характеристик) диффузионных GaAs-диодов и эпитаксиальных $n$-GaAs${-}p^{+}$-Al$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-гетероструктур. Обнаруженные в спектрах всплески проводимости объясняются протеканием тока через глубокие уровни $E_{c}{-}1.14$, 1.04, 0.96, 0.90, 0.81 эВ в $n$-GaAs.
Показано, что в сравнительно широких барьерах ($W\sim 300\div1000$Å) перенос заряда с участием глубоких уровней происходит в местах сужения перехода, вызванного неоднородностью распределения легирующих примесей.