Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs

Описывается получение жидкофазной эпитаксией слоев InP и InGaAs с низкой концентрацией электронов (${\sim5\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$) и высокой подвижностью (${\sim100\,000\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$), необходимых для создания фотоприемников на диапазон длин волн $1.0{-}1.7$ мкм с помощью легирования раствора-расплава гадолинием и иттербием в узком диапазоне концентрации. Посредством ЭПР обнаружено уменьшение на несколько порядков концентрации донорных центров, связанных с распадом твердых растворов остаточных примесей углерода, кислорода и кремния.