Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках

Развита теория линейного фотогальванического эффекта (ЛФГЭ) в полупроводниках в магнитном поле. Показано, что наряду с известными ранее составляющими ЛФГЭ (баллистическим и сдвиговым) в магнитном поле возникает новая составляющая — магнитоиндуцированный ЛФГЭ. В классически сильном магнитном поле этот новый вклад компенсирует сдвиговый фототок, в результате чего в сильном поле поперечная полю компонента тока ЛФГЭ полностью исчезает. Изучение зависимости фототока от частоты возбуждающего света, магнитного поля и температуры, в принципе, дает возможность выделить баллистическую, сдвиговую и магнитоиндуцированную составляющие ЛФГЭ.