Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте металл–гидрогенизированный аморфный кремний

Установлено, что среди исследованных: фоточувствительных структур типа Pt${-\alpha$-Si : Н} с барьером Шоттки можно выделить дно группы с разными спектрами фоточувствительности. В I группе, характеризующейся наличием спада фоточувствительности в коротковолновой части спектра, имеет место усиление тока короткого замыкания в длинноволновой области при наличии коротковолновой подсветки. Показано, что этот эффект (а также сопровождающее его снижение фоточувствительности в коротковолновой области) связан с особенностями формы потенциального барьера в структурах и с ее изменением при включении коротковолновой подсветки. II группа структур не имеет «завала» в коротковолновой части спектра, и эффект неаддитивности возбуждения фототока здесь не наблюдается.