Влияние поверхностных состояний на кинетику и величину фотоотклика гетероструктуры $n$-CdS${-}n$-CdSe

Исследованы кинетика фотоотклика в гетеропереходах $n$-CdS${-}n$-CdSe и влияние на нее напряжения смещения, а также энергии квантов, интенсивности и длительности импульсного освещения. Показано, что дифференциальный вид фотоотклика, проявляющийся в образцах с большой плотностью поверхностных состояний (ПС), связан с перезарядкой ПС. Спад величины фотоотклика при освещении гетероперехода обусловлен уменьшением поверхностного заряда и понижением высоты барьеров на границе раздела, а обратный выброс и медленная релаксация к нулевому значению после окончания освещения — с захватом наряда на ПС и восстановлением высоты барьеров.
Обнаружен сильный рост амплитуды фотоотклика в гетеропереходе с большой плотностью ПС при подаче на него напряжения смещения. При напряжении ${\sim1}$ В интегральная чувствительность гетероперехода увеличивается более чем на 2 порядка. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта.
Исследованы также особенности кинетики фотоотклика, приводящие к смене его знака при изменении энергии квантов света от $\hbar\omega<E_{g\,\text{CdSe}}$ до $\hbar\omega>E_{g\,\text{CdS}}$.