Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы

Приведены результаты исследований каскадных солнечных элементов, представляющих собой сборку из $p$-AlGaAs${-}p$-GaAs${-}n$-GaAs-гетерофотоэлемента и расположенного под ним фотоэлемента (ФЭ) из монокристаллического кремния с базой $n$-или $p$-тииа. В Si-ФЭ с базой $n$-типа $p{-}n$-переход был заглублен от поверхности на $3{-}4$ мкм для снижения сопротивления растекания и обеспечения наибольшей длинноволновой чувствительности. (КПД ${\sim15}$%). Снижение неактивного поглощения в AlGaAs-ФЭ достигалось при стравливании GaAs-подложек до суммарной толщины структуры $30{-}50$ мкм (КПД ${\sim23}$%). Общий КПД составных элементов 24.5% (AM 1.5), причем добавка КПД за счет Si-ФЭ была 1.3%. Обсуждаются возможности увеличения суммарного КПД при переходе к концентрированному солнечному облучению и при использовании гетерофотоэлементов с $p{-}n$-переходом в более широкозонном материале Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (${x=0.2{-}0.3}$).