Магнитоконцентрационный эффект в полупроводниковых образцах конечной длины

Исследованы особенности магнитоконцентрационного эффекта (МКЭ) в полупроводниковых образцах конечной длины, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами вблизи токовых контактов с большой концентрацией рекомбинационных центров. Показано, что генерация носителей заряда токовыми контактами и биполярный дрейф генерированных контактами носителей препятствуют сильному обеднению полупроводника носителями заряда при МКЭ. В случае чисто собственного полупроводника это проявляется на виде вольтамперной характеристики (ВАХ) как отклонение от режима насыщения тока в сильных полях, а в случае примесного полупроводника влияние контактов приводит к существенно большему остаточному наклону ВАХ в сильных полях, чем это предсказывается расчетами, выполненными без учета приконтактных процессов.