RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 149–151 (Mi phts1569)

Краткие сообщения

Влияние профиля легирования $n^{+}{-}n{-}p^{+}$-структуры на вольтамперную характеристику в области пробоя

Ю. С. Мельникова

Институт полупроводников АН УССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 11.04.1983
Принята в печать: 05.07.1983



© МИАН, 2024