RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 1,
страницы
149–151
(Mi phts1569)
Краткие сообщения
Влияние профиля легирования
$n^{+}{-}n{-}p^{+}$
-структуры на вольтамперную характеристику в области пробоя
Ю. С. Мельникова
Институт полупроводников АН УССР
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
11.04.1983
Принята в печать:
05.07.1983
Полный текст:
PDF файл (405 kB)
©
МИАН
, 2024