Электрический переходный процесс в полупроводнике с дисперсионным переносом

Проанализирован переходный процесс в полупроводнике с хвостами плотности состояний в запрещенной зоне. Показано, что нестационарная инжекция из омического в стационарных условиях контакта существенно влияет на переходный ток $I(t)$ в достаточно коротких структурах. Характерное время $t_{\max}$ нарастания тока до максимального значения может определяться эффективным временем прохождения $t_{\text{tr}}$ или временем $t_{T}$, при котором длина захвата носителей на локализованные состояния сравнивается с шириной активной области полупроводника. При достаточно высоких уровнях нестационарной инжекции $t_{\max}$ определяется временем запирания контакта, которое оказывается значительно меньше $t_{\text{tr}}$ и $t_{T}$. Это может привести к неправильной интерпретации экспериментов, например, по определению подвижности в неупорядоченных полупроводниках. Изучены закономерности нарастания и спада $I(t)$ при различных соотношениях между характерными временами.