RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 159–162 (Mi phts1573)

Краткие сообщения

Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов $p$-GaSe${-}n$-Cu$_{3}$In$_{5}$S$_{9}$

Л. Г. Гасанова, А. З. Магомедов, А. Г. Кязымзаде, В. И. Тагиров

Азербайджанский государственный университет им. С. М. Кирова

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 28.06.1983
Принята в печать: 28.07.1983



© МИАН, 2024