Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1,страницы 162

Краткие сообщения

Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)

Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.07.1983
Принята в печать: 28.07.1983