RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 672–676 (Mi phts158)

Влияние изменений параметров зонной структуры на энергетический спектр и сечение оптического поглощения связанных экситонов: азот в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$

Г. Ф. Глинский, Т. Н. Логинова, М. В. Лупал, А. Н. Пихтин

Ленинградский электротехнический институт им.Ульянова (Ленина)

Аннотация: В рамках двухзонной модели проведен расчет энергетического спектра и вероятности оптических переходов для экситонов, связанных на изоэлектронных центрах в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными по зависимости интегрального сечения поглощения и положения $A$-линии экситона, связанного на азоте, от состава твердого раствора.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 23.10.1985
Принята в печать: 30.10.1985



© МИАН, 2024