Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 4,страницы 672–676(Mi phts158)
Влияние изменений параметров зонной структуры на энергетический
спектр и сечение оптического поглощения связанных экситонов: азот
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Аннотация:
В рамках двухзонной модели проведен расчет энергетического
спектра и вероятности оптических переходов для экситонов, связанных
на изоэлектронных центрах в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$. Результаты расчета
сравниваются с экспериментальными данными по зависимости интегрального
сечения поглощения и положения $A$-линии экситона, связанного на азоте,
от состава твердого раствора.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 23.10.1985 Принята в печать: 30.10.1985