RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 186–188 (Mi phts1586)

Краткие сообщения

Неомическая прыжковая проводимость Ge$\langle\text{Zn}\rangle$ в сильных электрических полях

А. В. Алейников, В. А. Ботте, Л. И. Зарубин, А. Г. Коллюх, В. К. Малютенко

Институт полупроводников АН УССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.07.1983
Принята в печать: 19.07.1983



© МИАН, 2024