RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 189–191 (Mi phts1587)

Краткие сообщения

Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения

В. К. Васильев, О. Н. Горшков, Ю. А. Данилов, В. С. Туловчиков

Горьковский исследовательский физико-технический институт

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.10.1982
Принята в печать: 20.07.1983



© МИАН, 2024