Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры

Предложена теория нестационарных режимов усиления высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторов, учитывающая наличие внутренних фотонных связей в гетероструктурах. Рассмотрены случаи низкого и высокого уровней инжекции в коллекторе. Показано, что быстродействие при включении и выключении этих приборов практически не зависит от параметров коллектора и определяется параметрами базы и эмиттера. В отличие от традиционных высоковольтных $n^{+}{-}n{-}p{-}n^{+}$-структур в фотонно-инжекционных транзисторах при их работе в условиях повышенных плотностей токов эффект модуляции проводимости слабо легированного коллектора происходит и при обратно смещенном коллекторном переходе. Причем эффективность и скорость протекания процесса модуляции весьма высоки. Применение этих транзисторов не связано с необходимостью их ввода в глубокий режим насыщения, как в случае традиционных $n^{+}{-}n{-}p{-}n^{+}$-структур. Эти транзисторы превышают по быстродействию традиционные, так как при их работе в режиме усиления отсутствуют этапы установления стационарного состояния и рассасывания. Основные результаты предложенной теории находятся в хорошем согласии с экспериментом.