Дискретная структура диамагнитного экситона в осцилляциях фотомагнитного эффекта и фотопроводимости InSb в магнитном поле

Исследованы полевые зависимости фотопроводимости (ФП) и фотомагнитного эффекта (ФМЭ) в $n$-InSb в магнитном поле до 25 кЭ на длинах волн ${\lambda_{1}=4.862}$ и ${\lambda_{2}= 3.429}$ мкм при ${T=4.2}$ K. Наблюдаемые осцилляции ФП и ФМЭ были связаны как с резонансным рождением носителей при межзонном переходе с уровня Ландау дырки на уровень Ландау электрона, так и с резонансным испусканием оптических фононов при переходе электронов между уровнями Ландау зоны проводимости. Полученные значения резонансных переходов хорошо описываются зонными параметрами InSb, найденными из спектров осциллирующего магнитопоглощения с учетом их экситонной природы. Для описания эксперимента была развита методика расчета энергии связи диамагнитного экситона в области слабых магнитных полей.