RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 229–233 (Mi phts1596)

Изменение электрофизических характеристик $n$-кремния при облучении протонами с энергией 6.3 МэВ

Б. В. Шемаев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Проведен анализ полученных экспериментальных дозовых изменении электропроводности и холловской подвижности носителей заряда при ${T=300}$ K для материалов с разным содержанием кислорода и фосфора. По данным для случая отожженных $E$-центров установлено, что с ростом дозы облучения уменьшаются подвижность дырок и ширина запрещенной зоны кремния вне зависимости от концентраций примесей и носителей заряда. В отличие от этого изменение подвижности электронов определяется степенью компенсации материала. Установлено также, что уменьшение средней по объему концентрации электронов проводимости связано с накоплением (в основном) изолированных дивакансий. Следуемое предельное положение уровня Ферми ${\sim E_{v}=0.4}$ эВ соответствует наличию у дивакансий донорного ${E_{v}{+}0.27}$ эВ и нижнего акцепторного ${E_{c}{-}0.54}$ эВ уровней.
Анализ экспериментальных данных, полученных до отжига введенных дефектов, указывает на наличие в материале наряду с дивакансиями слабо разделенных с ними собственных междоузельных дефектов, отжигаемых до ${T\lesssim400}$ K и имеющих глубокие акцепторный и, по-видимому, донорный уровни.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.05.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2024