Аннотация:
Проведен анализ полученных экспериментальных дозовых изменении электропроводности и холловской подвижности носителей
заряда при ${T=300}$ K для материалов с разным содержанием кислорода и фосфора. По данным для случая отожженных $E$-центров установлено, что с ростом дозы облучения уменьшаются подвижность дырок и ширина запрещенной зоны кремния вне зависимости от концентраций примесей и носителей заряда. В отличие от этого изменение подвижности электронов определяется степенью компенсации материала. Установлено также, что уменьшение средней по объему концентрации
электронов проводимости связано с накоплением (в основном) изолированных дивакансий. Следуемое предельное положение уровня Ферми ${\sim E_{v}=0.4}$ эВ соответствует наличию у дивакансий донорного ${E_{v}{+}0.27}$ эВ и нижнего акцепторного ${E_{c}{-}0.54}$ эВ уровней.
Анализ экспериментальных данных, полученных до отжига введенных дефектов, указывает на наличие в материале наряду с дивакансиями слабо разделенных с ними собственных междоузельных дефектов, отжигаемых до ${T\lesssim400}$ K и имеющих глубокие акцепторный и, по-видимому, донорный уровни.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 20.05.1983 Принята в печать: 29.08.1983