RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 244–249 (Mi phts1599)

Исследование примесных скоплений в чистых материалах по форме спектров при аннигиляции пар электрон–позитрон

В. К. Еремин, Н. Б. Строкан, О. П. Чикалова-Лузина

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Рассмотрено влияние локальных скоплений примесей (ЛСП) на перенос заряда в $p{-}n$-переходах на основе чистых материалов. Показано, что ЛСП характерным образом влияют на статистику потерь заряда при его переносе через область поля $p{-}n$-перехода. Это открывает методическую возможность исследования параметров ЛСП и собственно материала.
Для ее реализации предложено использовать генерацию пакетов неравновесных носителей жесткими $\gamma$-квантами с энергией больше 1.022 мэВ, поглощение которых происходит в точке по механизму рождения пар электрон–позитрон. Рассчитана зависимость, позволяющая по форме спектра амплитуд импульсов от $\gamma$-квантов определить концентрацию ЛСП, а затем и их размер. Приведенные экспериментальные данные наглядно показывают, как небольшие количества ЛСП (${\lesssim10^{4}\,\text{см}^{-3}}$) при их малых размерах (${< 10}$ мкм) решающим образом влияют на потери заряда при его переносе.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2024