RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 94–98 (Mi phts16)

Особенности биений амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se

Н. Г. Глузман, Л. Д. Сабирзянова, И. М. Цидильковский, Л. Д. Паранчич, С. Ю. Паранчич

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Исследованы осцилляции Шубникова–де-Гааза поперечного магнитосопротивления на кристаллах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se (${x=0.000}$, 0.0005, 0.005, 0.05). В кристаллах Hg$_{0.95}$Fe$_{0.05}$Se с концентрацией электронов ${n=5.8\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ обнаружены следующие особенности осцилляции: положения узлов биений амплитуд зависят от температуры, частота биений меньше, чем в HgSe с такой же концентрацией электронов. Наблюдаемые особенности осцилляций объясняются влиянием обменного взаимодействия между зонными и локализованными на ионах Fe электронами.

Поступила в редакцию: 24.06.1985
Принята в печать: 23.07.1985



© МИАН, 2024