Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока

Рассмотрена зависимость кинетики перезарядки глубоких уровней через возбужденные состояния при освещении диодов светом с ${E_{0}-E_{1}<h\nu<E_{0}}$ ($E_{0},E_{1}$— энергии ионизации основного и возбужденного состояний соответственно) от температуры и времени жизни возбужденного состояния. Из сопоставления теоретических зависимостей с экспериментальными определены основные параметры центра Se$^{+}$ в кремнии.