RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 250–254 (Mi phts1600)

Примесная зона кластеров железа в кремнии

Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, И. Д. Залевский

Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Методом ЭПР исследованы бездислокационные монокристаллы нелегированного кремния $n$-типа, выращенные методом бестигельной зонной плавки. Образцы обладали удельным сопротивлением в интервале от 20 до ${2\cdot10^{4}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$. Во всех образцах обнаружен магниторезистивный эффект, величина которого коррелирует с удельной электропроводностью. Теоретический анализ полевой и температурной зависимостей кривых магнитосопротивления и высокочастотной проводимости, а также эксперименты по отжигу образцов позволили сделать вывод, что источником электронов, ответственных за магниторезистивный эффект, являются кластеры из междоузельных атомов железа, образующие примесную зону, отделенную от зоны проводимости энергетической щелью, равной ${\sim5\cdot10^{-3}}$ эВ.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2024