Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

Показано, что основными примесями в специально не легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), являются углерод и марганец. Увеличение температуры подложки при росте приводит к уменьшению концентрации как углерода и марганца, так и компенсирующих донорных примесей. Увеличение давления мышьяка при фиксированной температуре роста уменьшает концентрацию мелких акцепторных уровней углерода, но увеличивает концентрацию марганца. Полученные данные согласуются с описанием процессов легирования при МПЭ с использованием термодинамических представлений о химии точечных дефектов в GaAs.