Основное состояние мелкого акцептора в Ge и GaAs с учетом гофрировки валентных зон

В приближении эффективной массы вычислены энергии и волновые функции основного состояния мелких акцепторных примесей (МАП) в Ge и GaAs с учетом гофрировки валентных зон. Полученная система обыкновенных дифференциальных уравнений для радиальных функций МАП решена численным невариационным методом — методом переноса граничных условий из особых точек. Схема расчета применима для вычисления энергий и волновых функций основного и возбужденных состояний МАП в полупроводниках с решеткой алмаза или цинковой обманки при любой величине параметра $\delta$, характеризующего несферичность изоэнергетических поверхностей в валентной зоне. Вычисленные энергии основных уравнений МАП ниже, чем величины, полученные в предыдущих расчетах, причем в случае GaAs найденная энергия ниже, чем энергия основного уровня примеси С. Найденные волновые функции используются для расчета $g$-факторов и деформационных потенциалов МАП.