К теории фононного увлечения в полупроводниках в продольном квантующем магнитном поле

Развита теория двухступенчатого фонон-фононного увлечения в полупроводниках в квантовом пределе продольного магнитного поля. Показано, что в этих условиях оказывается возможным экспериментальное разделение вкладов в термоэдс от обычного увлечения херринговского типа и двухступенчатого увлечения носителей фононами. Установлено, что каждый из перечисленных механизмов ведет к различной зависимости термоэдс увлечения от величины магнитного поля, которые отличаются на $H^{1/2}$. Помимо особенностей полевой зависимости термоэдс двухступенчатого увлечения в отличие от увлечения херринговского типа обнаруживает явную зависимость от концентрации примеси.