Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы

Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами ${D_{1}=2.5\cdot10^{10}}$ и ${D_{2}=1\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне температур $300{-}873$ K имеет две стадии. На первой стадии (${T\simeq523}$ K, ${\gamma=1}$) отжигаются точечные дефекты, на второй (${T\simeq748}$ K, ${\gamma>1}$) — комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается «обратный» отжиг удельного сопротивления $\rho$.