RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 324–326 (Mi phts1615)

Температурная зависимость времени междолинной релаксации в электронном кремнии

Ш. З. Гинтилас, В. И. Денис, З. Мартунас, А. П. Шеткус

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: Путем наблюдения частотной зависимости анизотропии электропроводности $n$-Si в слабо греющих электрических полях установлены значения времени междолинной релаксации $\tau_{i}$ в интервале температур ${66\div120}$ K. Измерения проведены с материалом, концентрация электронов в котором не превышает${2\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$. Экспериментально показано, что в материале такого качества частота междолинных переходов определяется взаимодействием свободных носителей заряда с колебаниями решетки, что позволяет полученные результаты о температурной зависимости $\tau_{i}$ использовать для оценки констант связи электронов с междолинными фононами $f$-типа.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.09.1983
Принята в печать: 28.09.1983



© МИАН, 2024