Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Сообщается о создании фотодиодов на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных методом жидкостной эпитаксии, и исследовании их электрических и фотоэлектрических свойств.
Эпитаксиальные слои $n$-типа выращены на подложках GdTe из стехиометрических расплавов в закрытой системе. Область $p$-типа получена путем термической обработки слоев при низком давлении паров Hg.
Приведены результаты исследования распределения состава, индуцированного тока, вольтамперных характеристик и спектральных характеристик фоточувствительности при комнатной температуре.
Обсуждаются механизм протекания тока в исследованных структурах и форма спектральных характеристик фоточувствительности.