RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 330–334 (Mi phts1617)

Релаксация энергии горячих $\Gamma$-электронов в $p$-GaAs с отрицательным электронным сродством за счет возбуждения связанных поверхностных плазмон-фононных мод колебаний

Б. Н. Либенсон, А. И. Климин, Г. Б. Стучинский


Аннотация: Построена теория возбуждения связанных поверхностных плазмон-фононных мод колебаний (СППФМК) горячими $\Gamma$-электронами в области поверхностного изгиба зон в $p$-GaAs с отрицательным электронным сродством. Проведено сравнение вероятностей возбуждения СППФМК и объемных полярных фононов с учетом размерного эффекта и дисперсионного эффекта взаимной связи неупругих каналов. Показано, что при концентрации равновесных дырок, большей чем ${3\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, энергетическая релаксация горячих электронов определяется возбуждением СППФМК.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 15.04.1983
Принята в печать: 13.10.1983



© МИАН, 2024