RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 335–339 (Mi phts1618)

Двумерная прыжковая проводимость в магнитном поле

В. Л. Нгуен

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Теоретически исследуется двумерная прыжковая проводимость в магнитном поле. В области проводимости, осуществляемой прыжками по ближайшим соседям, найдена зависимость $\rho_{3}(H)$ в произвольном магнитном поле $H$. В области прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка получены зависимости $\rho$ от температуры и $H$ в предельном случае слабого поля. Обсуждаются данные экспериментов по прыжковой проводимости инверсионного слоя кремния, легированного ионами Na$^{+}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 12.09.1983
Принята в печать: 13.10.1983



© МИАН, 2024