RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 345–347 (Mi phts1621)

Краткие сообщения

Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий и междоузлий в кремнии

П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница

Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.03.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2024