RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 356–358 (Mi phts1625)

Краткие сообщения

Зависимость времени жизни носителей тока в $n$-InSb от концентрации электронов

М. А. Сиповская, Ю. С. Сметанникова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Поступила в редакцию: 09.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2024