RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 380–382 (Mi phts1634)

Краткие сообщения

Влияние освещения на ЭДС в $p{-}n$-переходе, инициированную слабым боковым электрическим полем

Э. А. Акопян, А. Ш. Мехтиев, А. Л. Пойманов

Научно-производственное объединение космических исследований АН АзССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.07.1983
Принята в печать: 14.09.1983



© МИАН, 2024