RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 383–385 (Mi phts1635)

Краткие сообщения

Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда

М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.09.1983
Принята в печать: 21.09.1983



© МИАН, 2024