RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 2,
страницы
383–385
(Mi phts1635)
Краткие сообщения
Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда
М. М. Соболев
,
С. Г. Конников
,
М. Н. Степанова
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
14.09.1983
Принята в печать:
21.09.1983
Полный текст:
PDF файл (446 kB)
©
МИАН
, 2024