RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 393–397 (Mi phts1638)

Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое

В. Я. Урицкий, О. В. Романов, А. М. Яфясов

Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова

Аннотация: Приведены результаты исследования влияния состояния межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$, характеризуемого плотностями встроенного заряда и поверхностных состояний, на поверхностный перенос дырок в инверсионном слое.
Показано, что состояние межфазовой границы может существенно отражаться на величине подвижности свободных дырок (в особенности при низких температурах) и характере их рассеяния в поверхностном инверсионном слое.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.07.1983
Принята в печать: 05.07.1983



© МИАН, 2024