К теории $n^{+}{-}\nu(p^{+}{-}\pi)$-контактов к компенсированным полупроводникам

Предложена приближенная количественная теория инжектирующих ($n^{+}{-}\nu,p^{+}{-}\pi)$-контактов к компенсированным полупроводникам. Получена зависимость между током и полем на границе контакта, которая может использоваться как граничное условие при решении токовых задач для полупроводниковых структур с такими контактами. В качестве иллюстрации выполнен расчет импульсной вольтамперной характеристики компенсированного полупроводника, показавший удовлетворительное согласие с опытными данными.