Преобразование глубоких центров в процессе деградации GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов

Рассмотрено преобразование дефектов в GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих структурах в неравновесных условиях (при инжекции). Использована методика релаксационной спектроскопии глубоких уровней для определения параметров дефектов. Сопоставлены изменения феноменологических характеристик приборов (спектров электролюминесценции, вольтамперных и вольтфарадных характеристик) с изменением энергетической структуры глубоких центров, вызванные протеканием в системе электрического тока. Обсуждаются процессы, приводящие к преобразованию глубоких центров. Установлено, что преобразования глубоких центров на различных стадиях деградации взаимосвязаны. Обсуждается физико-химическая природа дефектов.