RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 402–407 (Mi phts1640)

К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs

О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Теоретически и экспериментально рассмотрены основы спектрального метода определения скорости граничной рекомбинации в гетеропереходах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs с ${x=0}$ и 0.02. Показано, что данный метод можно применять для оценки степени структурной равновесности гетеросистем.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.07.1983
Принята в печать: 02.09.1983



© МИАН, 2024