Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе ZnSe

Обсуждается возможность создания светоизлучающих $p{-}n$-структур на основе селенида цинка, способных работать в «синей» (${\lambda\sim0.46}$ мкм) области спектра. В результате термообработки в парах селена получены слои ZnSe с собственно дефектной дырочной проводимостью на низкоомных (${\rho\sim1\div10\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$) монокристаллах с электронной проводимостью. Показана возможность создания эффективных инжекционных структур путем управления концентрацией собственных дефектов образца и использованием процесса радиационное стимулированной диффузии.
Исследованы электролюминесцентные характеристики полученных $p{-}n$-переходов. Обсуждается возможный механизм электролюминесценции.