RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 417–420 (Mi phts1643)

Температурная зависимость коэффициентов захвата электронов центром закалки в кремнии $n$-типа

Р. Р. Домбровский, Ю. Н. Сережкин, Н. И. Якивчик

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева

Аннотация: Импульсным методом исследована температурная зависимость коэффициентов захвата электронов глубокими донорными уровнями, образуемыми центром закалки в кремнии $n$-типа. Для уровня с энергией ${E_{1}=(E_{c}{-}0.26)}$ эВ коэффициент захвата электронов в диапазоне температур от 80 до 150 K имеет сложную зависимость. При температурах порядка 80 K коэффициент захвата ${C_{n}\sim T^{-5}}$, а при температурах 150 K ${C_{n}\sim T^{-2.5}}$. Коэффициент захвата для ${T=100}$ K имеет значение ${C_{n}=2.63\cdot10^{-8}\,\text{см}^{3}/\text{с}}$. Коэффициент захвата электронов на донорный уровень с энергией ${E_{2}=(E_{c}{-}0.56)}$ эВ имеет аномально большое значение, превышающее $10^{-5}\,\text{см}^{3}$/с.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.07.1983
Принята в печать: 21.09.1983



© МИАН, 2024