Изменение структуры $p{-}n$-перехода при его миниатюризации

Прямым расчетом по формуле, вытекающей из закона Кулона, получена разность потенциалов для модели $p{-}n$-перехода с постоянной толщиной области объемного заряда (ООЗ) в трех случаях: полуограниченного перехода, перехода, ограниченного до полосы, и перехода, ограниченного по кругу. По мере приближения к ограничивающей поверхности или уменьшения размера перехода разность потенциалов (при постоянной толщине ООЗ) уменьшается.
Полученные зависимости дают представление о том, насколько сильно (по сравнению с одномерным случаем) в ограниченном переходе увеличена толщина ООЗ. При размере перехода порядка его одномерной толщины возможны такие существенные увеличение толщины ООЗ и уменьшение напряженности поля, что ООЗ уже нельзя трактовать как переход. Отсюда следует классический по своей природе предел миниатюризации. Аналогично должна изменяться при миниатюризации и структура ООЗ, формирующихся в МОП транзисторах и подобных приборах.