Прыжковая проводимость по глубоким примесным состояниям в InP$\langle\text{Mn}\rangle$

Исследована прыжковая ($\varepsilon_{3}$) и моттовская проводимость по глубоким примесным состояниям с радиусом локализации менее 10 Å на примере Мn в InP.
Показано, что существующая теория прыжковой проводимости в слабо легированных полупроводниках с ${Na^{3}\ll 1}$ может быть использована для случая глубоких центров столь же успешно, как и для мелких водородоподобных примесей. Определены фундаментальные параметры теории: радиус локализации волновой функции глубоких примесей, плотность состояний вблизи уровня Ферми, средняя длина прыжка и др.