Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P

Исследована зависимость внешней эффективности люминесценции в InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС от толщины активного слоя в интервале от $10^{2}$ до $10^{4}$ Å и установлено, что в узкозонных (InGaAsP/InP) и широкозонных (InGaAsP/GaAs) гетероструктурах внутренний квантовый выход, превышающий 80%, сохраняется даже в структурах с толщиной активного слоя порядка 100 Å. На основе этих результатов оценивается верхний предел для скорости граничной рекомбинации, который в указанных гетероструктурах оказывается ${\leqslant5}$ см/с, что по крайней мере на порядок меньше, чем в традиционных гетероструктурах на основе AlGaAs/GaAs.