О прыжковой проводимости по собственным дефектам кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Изучена прыжковая проводимость, по Мотту, образцов $p$-Cd$_{0.2$Hg$_{0.8}$Te}, концентрация акцепторов которых изменялась термообработкой. Установлено, что величина характеристической температуры $T_{0}$ в выражении для проводимости зависит от концентрации дырок по закону ${T_{0}\sim p^{1/3}}$. Такая зависимость характерна для слабо компенсированных полупроводников, причем показано, что флуктуации состава слабо влияют на вид этой зависимости в рассмотренном диапазоне изменения концентрации дырок. Это позволяет сделать вывод, что монокристаллы $p$-Cd$_{0.2$Hg$_{0.8}$Te} после роста являются слабо компенсированными и концентрация доноров в них остается постоянной при изменении концентрации акцепторов в процессах термообработки.