Комплексообразование и термостабильность электрофизических свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs

Исследование методом «проекционного» травления термообработанных кристаллов полуизолирующего GaAs, выращенных способом Чохральского из-под слоя флюса, позволило заключить, что отжиг при температурах ниже $900^{\circ}$С приводит к образованию комплексов точечных дефектов, причем процесс комплексообразования блокируется в обширных областях вокруг «высокотемпературных» ростовых дислокаций (образовавшихся при температурах выше ${\sim1100^{\circ}}$С). Показано, что образование комплексов при термообработке приводит к падению величины подвижности электронов и увеличению их концентрации, т. е. к нетермостабильности свойств полуизолирующего материала. Определено влияние плотности «высокотемпературных» дислокаций на стабильность свойств кристаллов при термообработках.