Перенос неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике в случае примесной излучательной рекомбинации

Методом стационарной фотолюминесценции (ФЛ) изучался перенос неравновесных носителей заряда (ННЗ) в варизонном полупроводнике (Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As) при низких температурах в случае примесной излучательной рекомбинации. Выяснена относительная роль дрейфа ННЗ в квазиэлектрическом поле и фотонного дрейфа в зависимости от типа проводимости, градиента ширины запретной зоны (${\nabla E_{g}=20\div500}$ эВ/см) и температуры ($T$). Показано, что во всех структурах $n$-типа (${T=30\div50}$ K) и в структуре, $p$-типа с ${\nabla E_{g}=20}$ эВ/см (${T=15}$ K) доминирующим механизмом переноса является фотонный перенос, что экспериментально подтверждается независимостью формы спектров ФЛ от $T$ в указанном диапазоне, а также наличием характерных осцилляции в спектре. В структуре $p$-типа с ${\nabla E_{g}=160}$ эВ/см преобладает дрейф электронов в квазиэлектрическом поле, сопровождающийся их разогревом. Охлаждающее поперечное магнитное поле позволяет изменять соотношение между механизмами переноса. При ${H=47}$ кЭ в этой же структуре наблюдается преимущественная роль фотонного дрейфа.