Поглощение света в волноводах с варизонным слоем из твердого раствора в системе (GaAl)As

Проведен анализ поглощения света в волноводах с поглощающим слоем из полупроводника с линейным изменением ширины запрещенной зоны вдоль плоскости волновода. С учетом поглощения света на хвостах зон получены выражения для плотности поглощенного излучения вдоль таких слоев. При этом рассмотрены случаи с различной степенью перекрытия поля световой волны с поглощающим варизонным слоем как для однослойных, так и для составных волноводных слоев.
На примере твердых растворов Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As показано, что распределение поглощенного вдоль волновода излучения имеет двугорбый характер, причем соотношение между локальными максимумами в значительной степени определяется градиентом ширины запрещенной зоны и степенью перекрытия поля световой волны с поглощающим слоем. Проведена оценка пространственной и спектральной разрешающих способностей фоточувствительных приборов на основе таких слоев.