Силы изображения и квантовые состояния в полупроводниковых гетероструктурах

Рассмотрены силы изображения в трехслойной системе с различными диэлектрическими проницаемостями. Наряду с точной формулой для потенциальной энергии сил изображения $W(z)$ получена приближенная, хорошо аппроксимирующая точную для всех $z$. В квазиклассическом приближении найдены уровни энергии электронов (дырок) в таких системах. Дано обоснование обычно используемого приближения прямоугольного потенциального рельефа при рассмотрении полупроводниковых гетероструктур.